CPD80V Даташит - Central Semiconductor
Номер в каталоге
CPD80V
Компоненты Описание
Other PDF
PDF
page
2 Pages
File Size
393.1 kB
производитель
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 16 x 16 MILS
Die Thickness 7.1 MILS
Anode Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au-As - 13,000Å
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Share Link: