CPD80 Даташит - Central Semiconductor
Номер в каталоге
CPD80
Компоненты Описание
Other PDF
no available.
PDF
page
2 Pages
File Size
222.8 kB
производитель
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 16 x 16 MILS
Die Thickness 9.0 MILS
Anode Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 18,000Å
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Share Link: