CPD63 Даташит - Central Semiconductor
Номер в каталоге
CPD63
Компоненты Описание
Other PDF
no available.
PDF
page
2 Pages
File Size
203.7 kB
производитель
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 11 x 11 MILS
Die Thickness 11 MILS
Anode Bonding pad Area 3.3 x 3.3 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 18,000Å
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Share Link: