Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать
Номер в каталоге
Компоненты Описание
P/N + Описание + Поиск контента
Ключевые слова :
Номер в каталоге(s) :
MAAP-000080-MCH000 MAAP-000080-PKG003 MAAP-000080-SMB004 MAAP-000080-DIE000
Tyco Electronics
Компоненты Описание :
Amplifier,
Power
, 1 W 2-18
GHz
вид
Номер в каталоге(s) :
MAAPGM0072-DIE MAAPGM0072 MAAP-000072-PKG003 MAAP-000072-SMB003 MAAP-000072-MCH000
Tyco Electronics
Компоненты Описание :
Amplifier,
Power
, 1 W 17.7-19.7
GHz
вид
Номер в каталоге(s) :
QPD0050 QPD0050SR QPD0050TR7 QPD0050PCB4B01
Qorvo, Inc
Компоненты Описание :
75 W, 48 V, DC to 3.6
GHz
, GaN RF
Power
Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
SB035C015-1 SB035C015-1-W-AG
Transys Electronics Limited
Компоненты Описание :
Schottky cr Barrier Diode Wafer 35 Mils, 15 Volt, 1 Amp, 0.36VF.
вид
Номер в каталоге(s) :
SB039C020-1-W-AG
Transys Electronics Limited
Компоненты Описание :
Schottky cr Barrier Diode Wafer 39 Mils, 20 Volt, 1 Amp, 0.35VF.
вид
Номер в каталоге(s) :
SB051C025-1-W-AG
Transys Electronics Limited
Компоненты Описание :
Schottky cr Barrier Diode Wafer 51 Mils, 25 Volt, 1 Amp, 0.33VF.
вид
Номер в каталоге(s) :
SB051C015-1-W-AG
Transys Electronics Limited
Компоненты Описание :
Schottky cr Barrier Diode Wafer 51 Mils, 15 Volt, 1 Amp, 0.30VF.
вид
Номер в каталоге(s) :
SB039C025-1-W-AG
Transys Electronics Limited
Компоненты Описание :
Schottky cr Barrier Diode Wafer 39 Mils, 25 Volt, 1 Amp, 0.37VF.
вид
Номер в каталоге(s) :
SB039C040-1-W-AG
Transys Electronics Limited
Компоненты Описание :
Schottky cr Barrier Diode Wafer 39 Mils, 40 Volt, 1 Amp, 0.40VF.
вид
Номер в каталоге(s) :
QPD2195 QPD2195S2 QPD2195SQ QPD2195SR QPD2195PCB4B01
TriQuint Semiconductor
Компоненты Описание :
400 W, 48 V, 1.8-2.2
GHz
GaN RF
Power
Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
SB051C020-1-W-AG
Transys Electronics Limited
Компоненты Описание :
Schottky cr Barrier Diode Wafer 51 Mils, 20 Volt, 1 Amp, 0.32VF
вид
Номер в каталоге(s) :
SB039C015-1-W-AG
Transys Electronics Limited
Компоненты Описание :
Schottky cr Barrier Diode Wafer 39 Mils, 15 Volt, 1 Amp, 0.35VF.
вид
Номер в каталоге(s) :
THN6601B
Tachyonics CO,. LTD
Компоненты Описание :
NPN SiGe RF TRANSISTOR
вид
Номер в каталоге(s) :
QPD0050
TriQuint Semiconductor
Компоненты Описание :
75 W, DC to 3.6
GHz
48V GaN RF
Power
Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
MAPLST2122-090CF
Tyco Electronics
Компоненты Описание :
RF
Power
Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 90W, 28V
вид
Номер в каталоге(s) :
TGF2933
Qorvo, Inc
Компоненты Описание :
DC – 25
GHz
, 28 V, 7 W GaN RF Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
TGF2934
Qorvo, Inc
Компоненты Описание :
DC – 25
GHz
, 28 V, 14 W GaN RF Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
ABS07 ABS07-32.768KHZ ABS07-32.768KHZ-T ABS07-32.768KHZ-1 ABS07-32.768KHZ-1-T ABS07-32.768KHZ-4 ABS07-32.768KHZ-4-T ABS07-32.768KHZ-H ABS07-32.768KHZ-H-T ABS07-32.768KHZ-H-1
Abracon Corporation
Компоненты Описание :
32.768kHz SMD LOW PROFILE CRYSTAL
вид
Номер в каталоге(s) :
MAPLST2122-030CF
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
Компоненты Описание :
LDMOS RF Line
Power
FET Transistor 30 W , 2110-2170 MHz, 28V
вид
Номер в каталоге(s) :
ABS07 ABS07-32.768KHZ ABS07-32.768KHZ-1 ABS07-32.768KHZ-1-T ABS07-32.768KHZ-4 ABS07-32.768KHZ-4-T ABS07-32.768KHZ-H ABS07-32.768KHZ-H-1 ABS07-32.768KHZ-H-1-T ABS07-32.768KHZ-H-4
Unspecified
Компоненты Описание :
32.768kHz SMD LOW PROFILE CRYSTAL
вид
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
All Rights Reserved© datasheetbank.com [
Privacy Policy
] [
Request Datasheet
] [
Contact Us
]
[ Close ]