015N04N Просмотр технического описания (PDF) - Infineon Technologies
Номер в каталоге
Компоненты Описание
Список матч
015N04N Datasheet PDF : 10 Pages
| |||
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: T j(start)
1000
100
10
100 °C
25 °C
150 °C
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=100 A pulsed
parameter: V DD
12
10
8
IPP015N04N G
IPB015N04N G
20 V
8V
32 V
6
4
2
1
0
10-1
100
101
102
103
0
50
100
150
200
t AV [µs]
Q gate [nC]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
16 Gate charge waveforms
45
V GS
Qg
40
35
30
V g s(th)
25
Q g(th)
20
-60
-20
20
60 100 140 180
T j [°C]
Q gs
Rev. 2.2
page 7
Q sw
Q gd
Q gate
2009-11-16
Share Link: 