2SH11 Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

Номер в каталоге

Компоненты Описание

Список матч

2SH11

Silicon N-Channel IGBT

Hitachi -> Renesas Electronics 

2SH11

Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max Unit Test conditions

———————————————————————————————————————————

Collector to emitter breakdown V(BR)CES 600

—

voltage

—

V IC = 100 µA, VGE = 0

———————————————————————————————————————————

Zero gate voltage collector

current

ICES

—

—

0.5

mA VCE = 600 V, VGE = 0

———————————————————————————————————————————

Gate to emitter leak current

IGES

—

—

±1

µA VGE = ±20 V, VCE = 0

———————————————————————————————————————————

Gate to emitter cutoff current

VGE(off)

3.0

—

5.0

V IC = 1 mA, VCE = 10 V

———————————————————————————————————————————

Collector to emitter saturation VCE(sat)1 —

voltage

2.0

—

V IC = 5 A, VGE = 15 V

———————————————————————————————————————————

Collector to emitter saturation VCE(sat)2 —

voltage

2.6

3.3

V IC = 10 A, VGE = 15 V

———————————————————————————————————————————

Input capacitance

Cies

—

1000 —

pF VCE = 10 V, VGE = 0,

f = 1 MHz

———————————————————————————————————————————

Switching time

tr

—

75

—

ns IC = 10 A,

————————————————

ton

—

150

—

————————————————

RL = 30 Ω,

tf

—

300

600

————————————————

VGE = ±15 V

toff

—

450

900

Rg = 50 Ω

———————————————————————————————————————————

2

Share Link: