2SH11 Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics
Номер в каталоге
Компоненты Описание
Список матч
2SH11 Datasheet PDF : 8 Pages
| |||
ADE–208–274 (Z)
2SH11
Silicon N-Channel IGBT
1st. Edition
Feb. 1995
Application
High speed power switching
TO–220AB
Features
• High speed switching
• Low on saturation voltage
2
1
3
1
2
3
1. Gate
2. Collector
3. Emitter
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
———————————————————————————————————————————
Collector to emitter voltage
VCES
600
V
———————————————————————————————————————————
Gate to emitter voltage
VGES
±20
V
———————————————————————————————————————————
Collector current
IC
10
A
———————————————————————————————————————————
Collector peak current
ic(peak)
20
A
———————————————————————————————————————————
Collector dissipation
PC*
50
W
———————————————————————————————————————————
Channel temperature
Tj
150
°C
———————————————————————————————————————————
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
———————————————————————————————————————————
* Value at Tc = 25°C
1
Share Link: 