datasheetbank_Logo
Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать
HOME  >>>  Toshiba  >>> TK20E60U PDF

TK20E60U Даташит - Toshiba

TK20E60U image

Номер в каталоге
TK20E60U

Компоненты Описание

Other PDF
  2014  

PDF
DOWNLOAD     

page
9 Pages

File Size
240.9 kB

производитель
Toshiba
Toshiba Toshiba

Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.165 Ω (typ.)
(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 12 S (typ.)
(3) Low leakage current: IDSS = 100 µA (max) (VDS = 600 V)
(4) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)


APPLICATIONs
• Switching Voltage Regulators

Page Link's: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 

Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS II)
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS II )
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS II )
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS II )
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)
Unspecified
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS Ⅱ ) ( Rev : 2011 )
Toshiba

Share Link: GO URL

EnglishEnglish Korean한국어 Chinese简体中文 Russianрусский Spanishespañol

All Rights Reserved© datasheetbank.com  [ Privacy Policy ] [ Request Datasheet ] [ Contact Us ]