datasheetbank_Logo
Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать
HOME  >>>  Toshiba  >>> SSM6N35AFE PDF

SSM6N35AFE Даташит - Toshiba

SSM6N35AFE image

Номер в каталоге
SSM6N35AFE

Компоненты Описание

Other PDF
  no available.

PDF
DOWNLOAD     

page
9 Pages

File Size
225.1 kB

производитель
Toshiba
Toshiba Toshiba

Features
(1) 1.2 V drive
(2) Low drain-source on-resistance
   : RDS(ON) = 9.0 Ω (max) (@VGS = 1.2 V, ID = 10 mA)
     RDS(ON) = 3.1 Ω (max) (@VGS = 1.5 V, ID = 20 mA)
     RDS(ON) = 2.4 Ω (max) (@VGS = 1.8 V, ID = 150 mA)
     RDS(ON) = 1.6 Ω (max) (@VGS = 2.5 V, ID = 150 mA)
     RDS(ON) = 1.1 Ω (max) (@VGS = 4.5 V, ID = 150 mA)


APPLICATIONs
• High-Speed Switching
• Analog Switches


Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( Rev : 2017 )
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( Rev : 2014 )
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( Rev : 2018 )
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( Rev : 2014 )
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
Toshiba

Share Link: GO URL

EnglishEnglish Korean한국어 Chinese简体中文 Russianрусский Spanishespañol

All Rights Reserved© datasheetbank.com  [ Privacy Policy ] [ Request Datasheet ] [ Contact Us ]