Toshiba K80E08K3 Даташит, K80E08K3 PDF, даташитов

HOME >>> Toshiba >>> K80E08K3 PDF

K80E08K3 Даташит - Toshiba

Номер в каталоге

K80E08K3

Компоненты Описание

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSⅣ)

Other PDF

no available.

PDF

DOWNLOAD

page

3 Pages

File Size

179.9 kB

производитель

Toshiba

E-Bike/UPS/Inverter

* Low drain−source ON resistance : RDS (ON)= 7.5 mΩ(typ.)

* High forward transfer admittance : |Yfs| = 135 S (typ.)

* Low leakage current : IDSS= 10 µA (max) (VDS= 75 V)

* Enhancement mode : Vth= 2.0~4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

Page Link's: 1 2 3

Номер в каталоге

Компоненты Описание

PDF

производитель

SSM3K329R

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( Rev : 2010 )

View

Toshiba

SSM6K202FE

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( Rev : 2007 )

View