datasheetbank_Logo
Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать
HOME  >>>  IXYS CORPORATION  >>> IXTH13N110 PDF

IXTH13N110 Даташит - IXYS CORPORATION

IXTH13N110 image

Номер в каталоге
IXTH13N110

Компоненты Описание

Other PDF
  no available.

PDF
DOWNLOAD     

page
2 Pages

File Size
44.8 kB

производитель
IXYS
IXYS CORPORATION IXYS

MegaMOS™ FET
N-Channel Enhancement Mode


FEATUREs
• International standard package JEDEC TO-247 AD
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Fast switching times


APPLICATIONs
• Switch-mode and resonant-mode power supplies
• Motor controls
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• DC choppers

Advantages
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• Space savings
• High power density

Page Link's: 1  2 

Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
MOS FET
Sanken Electric co.,ltd.
MOS FET
Sanken Electric co.,ltd.
GaAs FET
Siemens AG
MOS FET
Sanken Electric co.,ltd.
GaAs FET
Siemens AG
GaAs FET
Siemens AG
GaAs FET ( Rev : 2000 )
Infineon Technologies
GaAs FET
Siemens AG
GaAs FET
Siemens AG
FET Transistor
ON Semiconductor

Share Link: GO URL

EnglishEnglish Korean한국어 Chinese简体中文 Russianрусский Spanishespañol

All Rights Reserved© datasheetbank.com  [ Privacy Policy ] [ Request Datasheet ] [ Contact Us ]