H7N0308AB Даташит - Renesas Electronics
Номер в каталоге
H7N0308AB
Компоненты Описание
Other PDF
no available.
PDF
page
7 Pages
File Size
75 kB
производитель
Renesas Electronics
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
FEATUREs
• Low on-resistance
RDS (on)= 3.8 mΩ typ.
• Low drive current
• 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ( Rev : 2006 )
Renesas Electronics
Share Link: