CP622 Даташит - Central Semiconductor
Номер в каталоге
CP622
Компоненты Описание
Other PDF
no available.
PDF
page
2 Pages
File Size
217.8 kB
производитель
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process PLANAR PASSIVATED
Die Size 27.5 x 27.5 MILS
Die Thickness 11 MILS
Anode Bonding Pad Area 7.1 x 5.1 MILS
Cathode Bonding Pad Area 7.1 x 5.1 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 13,000Å
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Share Link: