CP341V(2006) Даташит - Central Semiconductor
Номер в каталоге
CP341V
Компоненты Описание
Other PDF
PDF
page
1 Pages
File Size
39.2 kB
производитель
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 18 x 18 MILS
Die Thickness 7.1 MILS
Base Bonding Pad Area 3.8 x 3.8 MILS
Emitter Bonding Pad Area 3.8 x 3.8 MILS
Top Side Metalization Al/Si - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 12,000Å
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Small Signal Transistors PNP - Low VCE(SAT) Transistor Chip ( Rev : 2006 )
Central Semiconductor
Share Link: