CP191V Даташит - Central Semiconductor
Номер в каталоге
CP191V
Компоненты Описание
Other PDF
no available.
PDF
page
2 Pages
File Size
475.3 kB
производитель
Central Semiconductor
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 16.5 x 16.5 MILS
Die Thickness 7.1 MILS
Base Bonding Pad Area 3.5 x 4.3 MILS
Emitter Bonding Pad Area 3.5 x 4.3 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au-As - 13,000Å
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Small Signal Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip ( Rev : 2002 )
Central Semiconductor
Share Link: