BDY26 Даташит - New Jersey Semiconductor
Номер в каталоге
BDY26
Компоненты Описание
Other PDF
no available.
PDF
page
2 Pages
File Size
89.8 kB
производитель
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEo= 180V(Min.)
• Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 0.6V(Max)@ lc = 2A
• High Switching Speed
APPLICATIONS
• Designed for LF signal powe amplifier applications
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Share Link: