BD637 Даташит - New Jersey Semiconductor
Номер в каталоге
BD637
Компоненты Описание
Other PDF
no available.
PDF
page
2 Pages
File Size
79.2 kB
производитель
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= 25mA
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min.)
• Complement to Type BD638
APPLICATIONS
• Designed for amplifier and switching applications.
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Share Link: