BD539 Даташит - New Jersey Semiconductor
Номер в каталоге
BD539
Компоненты Описание
Other PDF
no available.
PDF
page
2 Pages
File Size
85.3 kB
производитель
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= 0.5A
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min)
• Complement to Type BD540
APPLICATIONS
• Designed for use in medium power linear and switching applications.
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Share Link: