B1389 Даташит - New Jersey Semiconductor
Номер в каталоге
B1389
Компоненты Описание
Other PDF
no available.
PDF
page
2 Pages
File Size
84.3 kB
производитель
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min)
• High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ (VCE= -3V, lc= -2A)
APPLICATIONS
• Designed for low frequency power amplifier applications.
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Share Link: