2SB778 Даташит - New Jersey Semiconductor
Номер в каталоге
2SB778
Компоненты Описание
Other PDF
no available.
PDF
page
2 Pages
File Size
67 kB
производитель
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEo= -120V(Min)
• Good Linearity of hFE
APPLICATIONS
• High power amplifier applications
• Recommend for 45-50W audio frequency amplifier
output stage applications
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Share Link: