2SB507 Даташит - New Jersey Semiconductor
Номер в каталоге
2SB507
Компоненты Описание
Other PDF
no available.
PDF
page
2 Pages
File Size
88.8 kB
производитель
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -60V(Min)
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
:VCE(sat)=-1.0V(Max)@lc=-2.0A
• Complement to Type 2SD313
APPLICATIONS
• Designed for the output stage of 15W to 25WAF power
amplifier.
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Share Link: