2SB1260 Даташит - Galaxy Semi-Conductor
Номер в каталоге
2SB1260
Компоненты Описание
Other PDF
no available.
PDF
page
4 Pages
File Size
176.3 kB
производитель
Galaxy Semi-Conductor
FEATURES
● High breakdown voltage and high current. BVCEO=-80V,IC=-1A
● Good hFEVLinearity.
● Low VCE(sat).
● Complements the 2SD1898.
APPLICATIONS
● Epitaxial planar type PNP silicon transistor
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Share Link: