2SB1075 Даташит - New Jersey Semiconductor
Номер в каталоге
2SB1075
Компоненты Описание
Other PDF
no available.
PDF
page
2 Pages
File Size
82.6 kB
производитель
New Jersey Semiconductor
DESCRIPTION
• High Collector Current -lc= -2A
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min.)
• Good Linearity of hFE
• Low Collector Saturation Voltage :VCE(sat)=-1.0V(Max.)@lc=-3A
APPLICATIONS
• Designed for AF output amplifier applications.
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
производитель
Share Link: