Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать
Номер в каталоге
Компоненты Описание
P/N + Описание + Поиск контента
Ключевые слова :
Номер в каталоге(s) :
HMG40N60A
Unspecified
Компоненты Описание :
40A, 600V Insulated
Gate
Bipolar
Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
MG6304WZ
ROHM Semiconductor
Компоненты Описание :
650V
40A
Insulated
Gate
Bipolar
Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
MG6404WZ
ROHM Semiconductor
Компоненты Описание :
650V
40A
Insulated
Gate
Bipolar
Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
HMG60N60A HMG60N60T
Unspecified
Компоненты Описание :
600V Insulated
Gate
Bipolar
Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
SGL40N150
Fairchild Semiconductor
Компоненты Описание :
Insulated
Gate
Bipolar
Transistor
(IGBT)
вид
Номер в каталоге(s) :
HMG20N60A
Unspecified
Компоненты Описание :
20A, 600V Insulated
Gate
Bipolar
Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
SGL40N150D
Fairchild Semiconductor
Компоненты Описание :
Insulated
Gate
Bipolar
Transistor
(IGBT)
вид
Номер в каталоге(s) :
IRG4PC30SPBF
International Rectifier
Компоненты Описание :
INSULATED
Gate
Bipolar
Transistor
Standard Speed IGBT
вид
Номер в каталоге(s) :
IRG4BC40UPBF
International Rectifier
Компоненты Описание :
INSULATED
Gate
Bipolar
Transistor
UltraFast Speed IGBT
(Rev - 2004)
вид
Номер в каталоге(s) :
IRG4BC40UPBF
International Rectifier
Компоненты Описание :
INSULATED
Gate
Bipolar
Transistor
UltraFast Speed IGBT
вид
Номер в каталоге(s) :
IRG4PC50FPBF
International Rectifier
Компоненты Описание :
Fast Speed IGBT
вид
Номер в каталоге(s) :
FGL40N150 FGL40N150D FGL40N150DTU GL40N150
Fairchild Semiconductor
Компоненты Описание :
Electrical Characteristics of the IGBT
вид
Номер в каталоге(s) :
GP250MHB06S
Dynex Semiconductor
Компоненты Описание :
Half Bridge IGBT Module
вид
Номер в каталоге(s) :
G4BC30FD1 IRG4BC30FD1
International Rectifier
Компоненты Описание :
Fast CoPack IGBT
вид
Номер в каталоге(s) :
SGF80N60UF
Fairchild Semiconductor
Компоненты Описание :
Ultra-Fast IGBT
вид
Номер в каталоге(s) :
SSM28G45EM
Silicon Standard Corp.
Компоненты Описание :
N-CHANNEL INSULATED-
Gate
Bipolar
Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
SSM25G45EM
Silicon Standard Corp.
Компоненты Описание :
N-CHANNEL INSULATED-
Gate
Bipolar
Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
AP25G45GEM
Advanced Power Electronics Corp
Компоненты Описание :
N-CHANNEL INSULATED
Gate
Bipolar
Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
MGW14N60ED MGW14N60ED/D MGW14N60EDD MGW14N60ED_D
ON Semiconductor
Компоненты Описание :
IGBT IN TO–247 14 A @ 90°C 18 A @ 25°C 600 VOLTS SHORT CIRCUIT RATED ON–VOLTAGE
вид
Номер в каталоге(s) :
AP28G40GEO
Advanced Power Electronics Corp
Компоненты Описание :
N-CHANNEL INSULATED
Gate
Bipolar
Transistor
вид
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
All Rights Reserved© datasheetbank.com [
Privacy Policy
] [
Request Datasheet
] [
Contact Us
]
[ Close ]