ATP114 Просмотр технического описания (PDF) - ON Semiconductor
Номер в каталоге
Компоненты Описание
Список матч
ATP114 Datasheet PDF : 7 Pages
| |||
ATP114
--10
VDS= --30V
--9 ID= --55A
--8
VGS -- Qg
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Tc
70
90 100
IT15710
ASO
5
3
2
IDP= --165A (PW≤10μs)
--100
7
ID= --55A
5
3
2
--10
7
5
Operation in
3
this area is
2
limited by RDS(on).
1001m0sm1sms
100μs10μs
--1.0
7
5
3
2 Tc=25°C
--0.1 Single pulse
--0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
120
5 7--100
IT15512
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Case Temperature, Tc -- °C
IT15513
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT15179
No. A1711-4/7
Share Link: 