BTS112A Просмотр технического описания (PDF) - Infineon Technologies

Номер в каталоге

Компоненты Описание

Список матч

BTS112A

TEMPFET®

Infineon Technologies 

TEMPFET® BTS 112 A

Continuous drain current ID = f (TC)

Parameter: VGS ≥ – 10 V

Forward characteristics of reverse diode

IF = f (VSD)

Parameter: Tj, tp = 80 µs

Typ. gate-source leakage current

IGSS = f (TC)

Parameter: VGS = – 20 V, VDS = 0

Typ. capacitances C = f (VDS)

Parameter: VGS = 0, f = 1 MHz

7

19.02.04

Share Link: