LD268 Просмотр технического описания (PDF) - Siemens AG

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LD268

GaAs Infrared Emitter Arrays

Siemens AG 

LD 260

LD 262 ... LD 269

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wellenlänge der Strahlung

λpeak

Wavelength at peak emission

IF = 50 mA, tp = 20 ms

Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax

∆λ

Spectral bandwidth at 50 % of Imax

IF = 50 m A, tp = 20 ms

Abstrahlwinkel

ϕ

Half angle

Aktive Chipfläche

A

Active chip area

Abmessungen der aktive Chipfläche

Dimension of the active chip area

L×B

L×W

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel H

Distance chip surface to lens top

Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von tr, tf

90 % auf 10%, bei IF = 50 mA, RL = 50 Ω

Switching times, Ie from 10 % to 90 % and

from 90 % to 10 %, IF = 50 mA, RL = 50 Ω

Kapazität, VR = 0 V

Co

Capacitance

Durchlaßspannung, IF = 50 mA, tp = 20 µs

VF

Forward voltage

Sperrstrom, VR = 5 V

IR

Reverse current

Gesamtstrahlungsfluß, IF = 50 mA, tp = 20 ms Φe

Total radiant flux

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,

TCI

IF = 50 mA

Temperature coefficient of Ie or Φe,

IF = 50 mA

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 50 mA

TCV

Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA

Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 50 mA TCλ

Temperature coefficient of λpeak, IF = 50 mA

Strahlstärke, IF = 50 mA, tp = 20 ms

Ie

Radiant intensity

Wert

Value

950

Einheit

Unit

nm

55

nm

± 15

0.25

0.5 × 0.5

1.3 ... 1.9

1

Grad

deg.

mm2

mm

mm

µs

40

pF

1.25 (≤ 1.4) V

0.01 (≤ 1)

µA

9

mW

– 0.55

%/K

– 1.5

mV/K

0.3

nm/K

typ. 5 (≥ 2.5) mW/sr

Semiconductor Group

3

1997-11-01

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