LD268 Просмотр технического описания (PDF) - Siemens AG

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LD268

GaAs Infrared Emitter Arrays

Siemens AG 

LD 260

LD 262 ... LD 269

Typ

Type

LD 262

LD 263

LD 264

LD 265

LD 266

LD 267

LD 268

LD 269

LD 260

IRED

Maß “A” Bestellnummer Gehäuse

pro Zeile

per Row Dimension “A” Ordering Code Package

min. max.

2

4.5

4.9

Q62703-Q70 Zeilenbauform, Leiterbandgehäuse,

3

4

7

9.6

7.4

10

Q62703-Q71

Q62703-Q72

klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig,

Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),

Kathodenkennzeichnung:

5

12.1 12.5 Q62703-Q73 Nase am Lötspieß

6

14.6 15

Q62703-Q74 Lead frame arrays, transparent epoxy

resin lens, solder tabs, lead spacing

7

17.2

17.6

Q62703-Q75

2.54 mm (1/10’’), cathode marking:

8

19.7 20.1 Q62703-Q76 projection at solder lead

9

22.3 22.7 Q62703-Q77

10

24.8 25.2 Q62703-Q78

Grenzwerte (TA = 25 °C)

Maximum Ratings

Bezeichnung

Description

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

Sperrspannung

Reverse voltage

Durchlaßstrom

Forward current

Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0

Surge current

Verlustleistung

Power dissipation

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Symbol

Symbol

Top; Tstg

Tj

VR

IF

IFSM

Ptot

RthJA

RthJL

Wert

Value

– 40 ... + 80

Einheit

Unit

°C

80

°C

5

V

50

mA

1.6

A

70

mW

750

K/W

650

K/W

Semiconductor Group

2

1997-11-01

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