Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать
Номер в каталоге
Компоненты Описание
2N3906 Просмотр технического описания (PDF) - Nanjing International Group Co
Номер в каталоге
Компоненты Описание
Список матч
2N3906
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
Nanjing International Group Co
2N3906 Datasheet PDF : 3 Pages
1
2
3
2N3905 / 2N3906
2
1
0.2
0.1
0.1
TJ=125 C
DC Current Gain
25 C
-55 C
1
10
I
C
(mA)
V
CE
=1V
100
200
1
0.8
I
C
=1mA
0.6
0.4
0.2
0
0.001
Collector Saturation Region
30mA
T
J
=25 C
100mA
10mA
0.1
1
10
I
B
(mA)
Share Link:
datasheetbank.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]