BP103 Просмотр технического описания (PDF) - Siemens AG

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BP103

Silicon NPN Phototransistor

Siemens AG 

BP 103

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen

Ziffern gekennzeichnet.

The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished

by arabian figures.

Bezeichnung

Description

Fotostrom, λ = 950 nm

Photocurrent

Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

Ev = 1000 Ix.

Normlicht/standard light A

VCE = 5 V

Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise and fall time

IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ

Kollektor-Emitter-

Sättigungsspannung

Collector-emitter saturation

voltage

IC

=

I 1)

PCEmin

×

0.3

Ee = 0.5 mW/cm2

Stromverstärkung

Current gain

Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

Symbol

Symbol

-2

Wert

Value

-3

-4

Einheit

Unit

-5

IPCE

80 ... 160 125 ... 250 200 ... 400 ≥ 320 µA

IPCE

0.38

0.6

tr, tf

5

7

0.95

1.4 mA

9

12 µs

VCEsat

150

150

150

150 mV

IPCE

140

210

340

530

IPCB

1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe

1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group

Semiconductor Group

214

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