SPD08P06PG(2008) Просмотр технического описания (PDF) - Infineon Technologies

Номер в каталоге

Компоненты Описание

Список матч

SPD08P06PG
(Rev.:2008)

SIPMOS® Power-Transistor

Infineon Technologies 

9 Drain-source on-state resistance

R DS(on)=f(T j); I D=-6.2 A; V GS=-10 V

SPD08P06P G

10 Typ. gate threshold voltage

V GS(th)=f(T j); V GS=V DS; I D=-250 µA

700

5

4.5

600

4

max.

500

3.5

98 %

400

300

200

typ.

100

3

typ.

2.5

2

min.

1.5

1

0.5

0

-60

-20

20

60 100 140 180

T j [°C]

0

-60 -20

20

60 100 140 180

T j [°C]

11 Typ. capacitances

C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz

103

12 Forward characteristics of reverse diode

I F=f(V SD)

parameter: T j

175 °C, typ

Ciss

101

25 °C, 98%

Coss

102

100

Crss

175 °C, 98%

10-1

25 °C, typ

101

0

Rev 1.9

5

10

15

20

25

-V DS [V]

10-2

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

-V SD [V]

page 6

2008-10-13

Share Link: