T700N Просмотр технического описания (PDF) - Infineon Technologies
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T700N Datasheet PDF : 10 Pages
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T700N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Thermische Eigenschaften Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
Mechanische Eigenschaften dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
F
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
G
f = 50 Hz
typ.
300 µs
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0320 °C/W
0,0300 °C/W
0,0537 °C/W
0,0511 °C/W
0,0816 °C/W
0,0732 °C/W
max.
max.
0,005 °C/W
0,010 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Seite 3
page 3
10,5…21 kN
A 2,8x0,5 mm
Ø 1,5 mm
A 4,8x0,5 mm
typ.
280 g
20 mm
50 m/s²
IFBIP D AEC / 2009-03-13, H.Sandmann
A 13/09
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