C67078-S1329-A2 Просмотр технического описания (PDF) - Siemens AG
Номер в каталоге
Компоненты Описание
Список матч
C67078-S1329-A2 Datasheet PDF : 9 Pages
| |||
BUZ 10 L
Not for new design
Avalanche energy EAS = ƒ(Tj)
parameter: ID = 23 A, VDD = 25 V
RGS = 25 Ω, L = 15.1 µH
9
mJ
EAS
7
6
5
4
3
2
1
0
20 40 60 80 100 120 °C 160
Tj
Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = ƒ(Tj)
Typ. gate charge
VGS = ƒ(QGate)
parameter: ID puls = 38 A
16
V
VGS
12
10
8
0,2 VDS max
0,8 VDS max
6
4
2
0
0
10
20
30
40 nC 55
QGate
60
V
V(BR)DSS 57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
-60
-20
20
60
100 °C 160
Tj
Semiconductor Group
8
07/96
Share Link: 