C004B Просмотр технического описания (PDF) - Toshiba

Номер в каталоге

Компоненты Описание

Список матч

C004B

Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type / High collector voltage: VCEO = 160V (min)

Toshiba 

7. Characteristics Curves (Note)

TTC004B

Fig. 7.1 IC - VCE

Fig. 7.2 IC - VCE

Fig. 7.3 hFE - IC

Fig. 7.4 VCE(sat) - IC

Fig. 7.5 VBE(sat) - IC

Fig. 7.6 IC - VBE

3

2013-09-11

Rev.1.0

Share Link: