Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать
Номер в каталоге
Компоненты Описание
2SK2311(2006) Просмотр технического описания (PDF) - Toshiba
Номер в каталоге
Компоненты Описание
Список матч
2SK2311
(Rev.:2006)
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2−π−MOSV)
Toshiba
2SK2311 Datasheet PDF : 6 Pages
1
2
3
4
5
6
2SK2311
R
G
= 25
Ω
V
DD
= 25 V, L = 339
μ
H
EAS
=
1
2
⋅
L
⋅
I
2
⋅ ⎜⎛
⎝
BVDSS
BVDSS
−
VDD
⎟⎞
⎠
5
2006-11-17
Share Link:
datasheetbank.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]