datasheetbank_Logo
Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать
HOME  >>>  FB11N50A Datasheet

FB11N50A   Даташит

соответствуя,
Like
начиная
N/A
концы
N/A
включая
производитель
итог
International Rectif...
Vishay Semiconductor...
 
 
производитель
Номер в каталоге
Компоненты Описание
PDF
IR
International Rectifier
HEXFET® Power MOSFET VDSS = 500V, RDS(on) = 0.52 Ohm, ID = 11A
Vishay
Vishay Semiconductors
Power MOSFET(Vdss=500V/ Rds(on)max=0.52ohm/ Id=11A)
Match & Start : FB11N50A
ETC
Unspecified
10 Amp. Glass Passivated Bridge Rectifier
IR
International Rectifier
HEXFET® Power MOSFET VDSS = 500V, RDS(on) = 0.52 Ohm, ID = 11A
IR
International Rectifier
HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.26 Ohm, ID = 17A
Vishay
Vishay Semiconductors
Power MOSFET(Vdss=500V/ Rds(on)max=0.52ohm/ Id=11A)
Vishay
Vishay Semiconductors
Power MOSFET, 190 A
IR
International Rectifier
HEXFET® Power MOSFET
Vishay
Vishay Semiconductors
Power MOSFET, 190 A
NEC
NEC => Renesas Technology
COMPOUND TRANSISTOR
EUPEC
eupec GmbH
IGBT-Modules
Infineon
Infineon Technologies
EasyPIM™ module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC
Prev 11 12 Next
EnglishEnglish Korean한국어 Chinese日本語 Russian简体中文 Spanishespañol

All Rights Reserved© datasheetbank.com [ 個人情報 保護方針 ] [ リクエストデータシート ]