datasheetbank_Logo
Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

P/N + Описание + Поиск контента

Ключевые слова :
Номер в каталоге(s) : LD4606A
NEC => Renesas Technology
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание : 30 GHz, 380 W CW, HIGH EFFICIENCY, HIGH POWER GAIN
Номер в каталоге(s) : LED34-HIGH-SMD3
Roithner LaserTechnik GmbH
Roithner LaserTechnik GmbH
Компоненты Описание : Mid-Infrared Light Emitting Diode, SMD
Номер в каталоге(s) : LED34-HIGH-SMD5
Roithner LaserTechnik GmbH
Roithner LaserTechnik GmbH
Компоненты Описание : Mid-Infrared Light Emitting Diode, SMD
Номер в каталоге(s) : LED34-HIGH-SMD5R
Roithner LaserTechnik GmbH
Roithner LaserTechnik GmbH
Компоненты Описание : Mid-Infrared Light Emitting Diode, SMD
Номер в каталоге(s) : MAPLST2122-030CF
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
Компоненты Описание : LDMOS RF Line POWER FET Transistor 30 W , 2110-2170 MHz, 28V
Номер в каталоге(s) : NES1823P-30
NEC => Renesas Technology
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание : 30 W L-S BAND PUSH-PULL POWER GaAs MES FET
Номер в каталоге(s) : LD7267
NEC => Renesas Technology
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание : 30 GHz, 100 W CW, CONDUCTION COOLING, HIGH POWER GAIN
Номер в каталоге(s) : LD7235 LD7235XXX
NEC => Renesas Technology
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание : 30 GHz, 150 W CW, CONDUCTION COOLING, HIGH POWER GAIN
Номер в каталоге(s) : MRF16030
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
Компоненты Описание : The RF Line NPN Silicon POWER Transistor 30W, 1.6GHz, 28V
Номер в каталоге(s) : NE651R479A NE651R479A-T1-A NE651R479A-A
California Eastern Laboratories.
California Eastern Laboratories.
Компоненты Описание : NEC's 1 W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET
Номер в каталоге(s) : MAPLST2122-090CF
Tyco Electronics
Tyco Electronics
Компоненты Описание : RF POWER Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 90W, 28V
Номер в каталоге(s) : AGR18030EF
TriQuint Semiconductor
TriQuint Semiconductor
Компоненты Описание : 30 W, 1.805 GHz—1.880 GHz, LDMOS RF POWER Transistor
Номер в каталоге(s) : MRF428
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
Компоненты Описание : The RF Line NPN Silicon POWER Transistor 150W(PEP), 30MHz, 50V (Rev - V2)
Номер в каталоге(s) : MAPLST2122-030CF
Tyco Electronics
Tyco Electronics
Компоненты Описание : RF POWER Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 30W, 28V
Номер в каталоге(s) : MAPLST2122-060CF
Tyco Electronics
Tyco Electronics
Компоненты Описание : RF POWER Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 60W, 28V
Номер в каталоге(s) : MRF428
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
Компоненты Описание : The RF Line NPN Silicon POWER Transistor 150W(PEP), 30MHz, 50V
Номер в каталоге(s) : MRF18030BSR3 MRF18030BR3
Motorola => Freescale
Motorola => Freescale
Компоненты Описание : RF POWER Field Effect Transistors
Номер в каталоге(s) : PD27025F
PEAK electronics GmbH
PEAK electronics GmbH
Компоненты Описание : 25 W, 2.5GHz - 2.7GHz , N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Номер в каталоге(s) : MAPLST2122-015CF
Tyco Electronics
Tyco Electronics
Компоненты Описание : RF POWER Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 15W, 28V
Номер в каталоге(s) : BLF6G13L-250P BLF6G13LS-250P
NXP Semiconductors.
NXP Semiconductors.
Компоненты Описание : POWER LDMOS transistor
12345678910 Next


All Rights Reserved© datasheetbank.com  [ Privacy Policy ] [ Request Datasheet ] [ Contact Us ]