Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать
Номер в каталоге
Компоненты Описание
P/N + Описание + Поиск контента
Ключевые слова :
Номер в каталоге(s) :
LD4606A
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
30
GHz
,
380
W CW,
HIGH
EFFICIENCY
,
HIGH
POWER
GAIN
вид
Номер в каталоге(s) :
LED34-HIGH-SMD3
Roithner LaserTechnik GmbH
Компоненты Описание :
Mid-Infrared Light Emitting Diode, SMD
вид
Номер в каталоге(s) :
LED34-HIGH-SMD5
Roithner LaserTechnik GmbH
Компоненты Описание :
Mid-Infrared Light Emitting Diode, SMD
вид
Номер в каталоге(s) :
LED34-HIGH-SMD5R
Roithner LaserTechnik GmbH
Компоненты Описание :
Mid-Infrared Light Emitting Diode, SMD
вид
Номер в каталоге(s) :
MAPLST2122-030CF
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
Компоненты Описание :
LDMOS RF Line
POWER
FET Transistor 30 W , 2110-2170 MHz, 28V
вид
Номер в каталоге(s) :
NES1823P-30
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
30 W L-S BAND PUSH-PULL
POWER
GaAs MES FET
вид
Номер в каталоге(s) :
LD7267
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
30
GHz
, 100 W CW, CONDUCTION COOLING,
HIGH
POWER
GAIN
вид
Номер в каталоге(s) :
LD7235 LD7235XXX
NEC => Renesas Technology
Компоненты Описание :
30
GHz
, 150 W CW, CONDUCTION COOLING,
HIGH
POWER
GAIN
вид
Номер в каталоге(s) :
MRF16030
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
Компоненты Описание :
The RF Line NPN Silicon
POWER
Transistor 30W, 1.6GHz, 28V
вид
Номер в каталоге(s) :
NE651R479A NE651R479A-T1-A NE651R479A-A
California Eastern Laboratories.
Компоненты Описание :
NEC's 1 W, L&S-BAND MEDIUM
POWER
GaAs HJ-FET
вид
Номер в каталоге(s) :
MAPLST2122-090CF
Tyco Electronics
Компоненты Описание :
RF
POWER
Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 90W, 28V
вид
Номер в каталоге(s) :
AGR18030EF
TriQuint Semiconductor
Компоненты Описание :
30 W, 1.805
GHz
—1.880
GHz
, LDMOS RF
POWER
Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
MRF428
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
Компоненты Описание :
The RF Line NPN Silicon
POWER
Transistor 150W(PEP), 30MHz, 50V
(Rev - V2)
вид
Номер в каталоге(s) :
MAPLST2122-030CF
Tyco Electronics
Компоненты Описание :
RF
POWER
Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 30W, 28V
вид
Номер в каталоге(s) :
MAPLST2122-060CF
Tyco Electronics
Компоненты Описание :
RF
POWER
Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 60W, 28V
вид
Номер в каталоге(s) :
MRF428
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
Компоненты Описание :
The RF Line NPN Silicon
POWER
Transistor 150W(PEP), 30MHz, 50V
вид
Номер в каталоге(s) :
MRF18030BSR3 MRF18030BR3
Motorola => Freescale
Компоненты Описание :
RF
POWER
Field Effect Transistors
вид
Номер в каталоге(s) :
PD27025F
PEAK electronics GmbH
Компоненты Описание :
25 W, 2.5
GHz
- 2.7
GHz
, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
вид
Номер в каталоге(s) :
MAPLST2122-015CF
Tyco Electronics
Компоненты Описание :
RF
POWER
Field Effect Transistor LDMOS, 2110 — 2170 MHz, 15W, 28V
вид
Номер в каталоге(s) :
BLF6G13L-250P BLF6G13LS-250P
NXP Semiconductors.
Компоненты Описание :
POWER
LDMOS transistor
вид
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
All Rights Reserved© datasheetbank.com [
Privacy Policy
] [
Request Datasheet
] [
Contact Us
]
[ Close ]