T1081N70TOH Просмотр технического описания (PDF) - eupec GmbH

Номер в каталоге

Компоненты Описание

Список матч

T1081N70TOH

Phase Control Thyristor

eupec GmbH 

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1081N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit

circuit commutated turn-off time

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

Thermische Eigenschaften Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM

tq

vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM

Mechanische Eigenschaften dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4.Kennbuchstabe / 4th letter O

Tvj = Tvj max

Qr

iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs

VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM

Tvj = Tvj max

IRM

iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs

VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, DC

RthJC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

RthCH

Tvj max

Tc op

Tstg

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft

clamping force

Steueranschlüsse

control terminals

Gewicht

weight

Kriechstrecke

creepage distance

Schwingfestigkeit

vibration resistance

F

DIN 46244

Gate

Kathode /Cathode

G

f = 50 Hz

typ.

600 µs

max.

10 mAs

max.

250 A

max. 0,0086

max. 0,008

max. 0,015

max. 0,0170

°C/W

°C/W

°C/W

°C/W

max. 0,0025 °C/W

max. 0,005 °C/W

125 °C

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Seite 3

page 3

36...52 kN

A 4,8x0,8

A 6,3x0,8

typ. 1200 g

33 mm

50 m/s²

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in

Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging

technical notes.

BIP AM / SM PB, 2001-04-06, Przybilla J. / Keller

Seite/page 2/8

Share Link: