T501N70TOH Просмотр технического описания (PDF) - eupec GmbH
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T501N70TOH Datasheet PDF : 9 Pages
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 501N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Thermische Eigenschaften Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
Mechanische Eigenschaften dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Tvj = Tvj max
Qr
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Tvj = Tvj max
IRM
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
F
DIN 46244
Gate
Kathode /Cathode
G
f = 50 Hz
typ.
600 µs
max.
7,2 mAs
max.
210 A
max. 0,0185
max. 0,017
max. 0,0305
max. 0,0385
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max. 0,005 °C/W
max. 0,01 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Seite 3
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15...24 kN
A 2,8x0,8
A 4,8x0,8
typ.
550 g
25 mm
50 m/s²
BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller
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