SFH3401-2 Просмотр технического описания (PDF) - OSRAM GmbH

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SFH3401-2

Silicon NPN Phototransistor

OSRAM GmbH 

Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10% von Smax

Spectral range of sensitivity

S = 10% of Smax

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

Abmessungen der Chipfläche

Dimensions of chip area

Halbwinkel

Half angle

Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

Kapazität, VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

Kapazität, VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

Dunkelstrom

Dark current

VCE = 10 V, E = 0

Fotostrom der Kollektor-Basis Fotodiode

Photocurrent of collektor-base photodiode

Ee = 0.1 mW/cm2, VCB = 5 V

Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V

Symbol

Symbol

λS max

λ

A

L×B

L×W

ϕ

CCE

CCB

CEB

ICEO

IPCB

IPCB

SFH 3401

Wert

Value

850

Einheit

Unit

nm

460 … 1080 nm

0.55

1×1

± 60

15

45

19

3 (≤ 200)

mm2

mm × mm

Grad

deg.

pF

pF

pF

nA

0.28

µA

4.8

µA

2001-12-11

3

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