D650S Просмотр технического описания (PDF) - Infineon Technologies

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D650S

Fast Diode

Infineon Technologies 

S

Schnelle Diode

Fast Diode

Datenblatt / Data sheet

D650S

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC

R,T – Werte

Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC

KRü,hTlauun-gG/lieder

Cooling

des Elements

Pos. n

1

2

3

4

5

6

7

beidseitig

Rthn [°C/W] 0,001080 0,00420 0,00596 0,0183 0,01546

-

-

two-sided

τn [s] 0,000378 0,00189 0,01850 0,1470 1,22000

-

-

Rthn [°C/W] 0,001060 0,00407 0,00519 0,0167 0,00698 0,048

-

anodenseitig

anode-sided

τn [s] 0,000377 0,00182 0,01560 0,1210 0,57100 7,210

-

Rthn [°C/W] 0,001090 0,00423 0,00616 0,0186 0,01340 0,05652

-

kathodenseitig

cathode-sided

τn [s] 0,000379 0,00190 0,01920 0,1520 2,54000 9,90000

-

Analytische Funktion / Analytical function:

Σ Z thJC

nmax

= Rthn

1− e

-t

τn

Transienter Wärmewiderstann=d1

0,12

0,10

0,08

0,06

0,04

0,02

0,00

0,001

0,01

0,1

t [s] 1

c

a

b

10

100

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC

Z thJC = f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

IFBIP SDeAitEe C/ p/a2g0e0A9-0134-/9126, H.Sandmann

A 15/09

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