107N20NA Просмотр технического описания (PDF) - Infineon Technologies
Номер в каталоге
Компоненты Описание
производитель
107N20NA Datasheet PDF : 10 Pages
| |||
IPB107N20NA IPP110N20NA
9 Drain-source on-state resistance
R DS(on)=f(T j); I D=88 A; V GS=10 V
35
10 Typ. gate threshold voltage
V GS(th)=f(T j); V GS=V DS
parameter: I D
4
30
25
20
15
typ
10
5
3.5
3
2700 µA
2.5
270 µA
2
1.5
1
0.5
0
-60 -20 20 60 100 140 180
Tj [°C]
0
-60 -20 20 60 100 140 180
Tj [°C]
11 Typ. capacitances
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz
104
Ciss
12 Forward characteristics of reverse diode
I F=f(V SD)
parameter: T j
103
Coss
103
102
102
Crss
101
175 °C
25 °C
101
0
Rev. 2.1
40
80
120
VDS [V]
100
160
0
page 6
0.5
1
1.5
2
VSD [V]
2011-05-11
Share Link: 