TF70910B Просмотр технического описания (PDF) - Dynex Semiconductor

Номер в каталоге

Компоненты Описание

Список матч

TF70910B

Fast Switching Thyristor

Dynex Semiconductor 

TF709..Y

NOTES:

1. dI/dt = 100A/µs

2. VD ≤ 600V.

3. VR ≤ 10V.

4. R.C Snubber, C = 0.22µF, R = 4.7Ω

NOTES:

1. dI/dt = 100A/µs

2. VD ≤ 600V.

3. VR ≤ 10V.

4. R.C Snubber, C = 0.22µF, R = 4.7Ω

11/13

Share Link: