TMG5C80F Просмотр технического описания (PDF) - SanRex Corporation
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TMG5C80F Datasheet PDF : 2 Pages
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TMG5C80F
Gate Characteristics
１００
１０
VGM（10V）
PGM（3W）
１
25℃
1＋
GT１
1−
GT１
1−
GT３
PG（AV（） 0.3W）
０．１
１０
VG（D 0.2V）
１００
１０００
Gate Curren（t mA）
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
７
１００００
６
θ
π
０
2π
５
θ
３６０゜
θ：Conduction Angle
４
３
θ＝１８０゜
θ＝１５０゜
θ＝１２０゜
θ＝９０゜
θ＝６０゜
θ＝３０゜
２
１
０
０
１
２
３
４
５
６
RMS On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
６０
５０
４０
３０
２０
６０HZ
５０HZ
１０
０
１
２
５
１０ ２０
Time（Cycles）
５０ １００
IGT −T（j Typical）
１０００
５００
２００
１００
５０
２０
１０
−５０
I＋GT１（1＋）
I−GT１（1−）
I−GT３（3−）
０
５０
１００
Junction Temp. T（j ℃）
１５０
On-State Characteristics（MAX）
１００
５０
２０
１０
５
２
１
０．５
０．２
０．５
１．０
１．５
２．０ ２．５
On-State Voltage（V）
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
１２５
Ｔｊ=２５℃
Ｔｊ=１２５℃
３．０
３．５
１２０
１１５
１１０
１０５
０
θ
π
2π
θ
１００
３６０゜
θ：Conduction Angle
９５
０
１
２
３
４
RMS On-State Curren（t A）
θ＝30゜
θ＝60゜
θ＝90゜
θ＝120゜
θ＝150゜
θ＝180゜
５
Transient Thermal Impedance
１０
１
０.０１
０.１
１
１０
Time（Sec.）
VGT −T（j Typical）
１０００
５００
２００
１００
５０
V−GT３（3−）
V＋GT１（1＋）
V−GT１（1−）
２０
１０
−５０
０
５０
１００
Junction Temp. T（j ℃）
１００
１５０
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
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