PDMB150A6C Просмотр технического описания (PDF) - Nihon Inter Electronics
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PDMB150A6C Datasheet PDF : 4 Pages
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IGBT
150 A 600 V
■回路図 CIRCUIT
C2E1
E2
■外形寸法図 OUTLINE DRAWING
PDMB150A6
G2
E2
C1
E1
G1
PDMB150A6C
PDMB150A6C
（単位 Dimension：mm）
PDMB150A6C
■最大定格 Maximum Ratings（TC＝25℃）
項 目
Item
記号
Symbol
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
VCES
ゲート・エミッタ間電圧
Gate-Emitter Voltage
VGES
コレクタ電流
DC
IC
Collector Current
1ms
ICP
コレクタ損失
Collector Power Dissipation
PC
接合温度
Junction Temperature Range
Tj
保存温度
Storage Temperature Range
Tstg
絶縁耐圧（端子−ベース間，AC１分間）
Isolation Voltag（e Terminal to Base, AC１min.）
Viso
ベース取付部
締付トルク
Module Base to Heatsink
Mounting Torque 端子部
Ftor
Busbar to Terminal
定 格 値
Rated Value
600
±20
150
300
560
−40〜＋150
−40〜＋125
PDMB150A6
2（20.4）
2500
2（20.4）
PDMB150A6C
3（30.6）
単位
Unit
V
V
A
W
℃
℃
V（RMS）
N・m
（kgf・cm）
■電気的特性 Electrical Characteristics（TC＝25℃）
項 目
Characteristic
記号
Symbol
条 件
Test Conditions
最小
Min.
標準
Typ.
最大
Max.
単位
Unit
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ICES VCE＝600V, VGE＝0V
─
─
2.0
mA
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
IGES VGE＝±20V, VCE＝0V
─
─
500
nA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
VC（E sat） IC＝150A, VGE＝15V
─
2.1
2.6
V
ゲートしきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入力容量
Input Capacitance
VG（E th） VCE＝5V, IC＝150mA
4.0
─
8.0
V
Cies VCE＝10V, VGE＝0V, f＝1MHz
─
15000
─
pF
Ｉ
Ｇ
Ｂ
上昇時間
Rise Time
tr
Ｔ
─
0.15
0.3
モ
ターン・オン時間
スイッチング時間 Turn-On Time
ton
VCC＝300V
RL＝2Ω
Switching Time 下降時間
Fall Time
tf
RG＝5.1Ω
VGE＝±15V
─
0.25
0.4
ジ
μs
ュ
─
0.2
0.35
ー
ターン・オフ時間
Turn-Off Time
toff
─
0.45
0.7
ル
─ 388 ─
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