PDMB75B12 Просмотр технического описания (PDF) - Nihon Inter Electronics
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PDMB75B12 Datasheet PDF : 3 Pages
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ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
(C2E1)
(E2)
1
2
7(G2)
6(E2)
(C1)
3
5(E1)
4(G1)
７５ Ａ，１２００Ｖ
QS043-401M0058 (2/4)
ＰＤＭＢ７５Ｂ１２
ＰＤＭＢ７５Ｂ１２Ｃ
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
94.0
80 ±0.25
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
2-Ø6.5
1
2
3
7
6
94
80 ± 0 .2 5
12 11 12 11 12
1
2
3
2-Ø 5.5
7
6
3-M5
5
4
23.0
23.0 17.0
3-M5
14 9 14 9 14
4-fasten tab
#110 t=0.5
5
4
23
23
17
16 7 16 7 16
4-fasten tab
#110 t= 0.5
LABEL
LABEL
PDMB75B12
PDMB75B12C
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＣＥＳ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＧＥＳ
コレクタ電流
Ｃollector Ｃurrent
コレクタ損失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
ＤＣ
１ｍｓ
ＩＣ
ＩＣＰ
ＰＣ
接合温度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔｊ
保存温度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
Ｔｓｔｇ
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
ＶＩＳＯ
締め付けトルク
Ｍounting Ｔorque
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
Ｆｔｏｒ
PDMB75B12C
PDMB75B12
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
１，２００
±２０
７５
１５０
４００
－４０～＋１５０
－４０～＋１２５
２,５００
２（２０.４）
３（３０.６）
２（２０.４）
Ｕｎｉｔ
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ（ＲＭＳ）
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ＩＣＥＳ
ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V
－
－
２.０
ｍＡ
ゲート漏れ電流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
ＩＧＥＳ
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
－
－
１.０
μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 75A,ＶＧＥ= 15V
－
１.９ ２.４
Ｖ
ゲ ー ト しきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
ＶＧＥ（ｔｈ）
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 75mA
４.０
－
８.０
Ｖ
入力容量
Ｉnput Ｃapacitance
Ｃｉｅｓ
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
－
6,300
－
ｐＦ
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Ｒise Ｔime
Ｔurn-on Ｔime
Ｆall Ｔime
Ｔurn-off Ｔime
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
ｔｏｆｆ
ＶＣＣ= 600V
ＲL= 8Ω
ＲG= 13Ω
ＶＧＥ= ±15V
－
０.２５ ０.４５
－
０.４０ ０.７０
μｓ
－
０.２５ ０.３５
－
０.８０ １.１０
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
ＤＣ
１ｍｓ
ＩＦ
ＩＦＭ
７５
Ａ
１５０
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＶＦ
ｔｒｒ
ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= 0V
ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 150A/μs
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｒth(j-c) Junction to Case
日本インター株式会社
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
－
１.９ ２.４
Ｖ
－
０.２ ０.３
μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ.
－
－
Ｍａｘ.
０.３
０.６
Ｕｎｉｔ
℃／Ｗ
０１
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