NE71300-M Просмотр технического описания (PDF) - NEC => Renesas Technology

Номер в каталоге

Компоненты Описание

Список матч

NE71300-M

L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET

NEC => Renesas Technology 

CHIP DIMENSIONS (Unit: µm) [NE71300]

450

123

64

76

60

Drain

Drain

NE713

Source

Gate

Gate

Source

18

48

57

56

Thickness = 140 µm

: BONDING AREA

44

52

3

Share Link: