2SK3313 Просмотр технического описания (PDF) - Toshiba

Номер в каталоге

Компоненты Описание

Список матч

2SK3313

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)

Toshiba 

2SK3313

RG = 25 Ω

VDD = 90 V, L = 3.83 mH

EAS

=

1

2

⋅ L ⋅ I2

⋅ ⎜⎛

⎝

BVDSS

BVDSS − VDD

⎟⎞

⎠

5

2010-04-13

Share Link: