K3265 Просмотр технического описания (PDF) - Toshiba

Номер в каталоге

Компоненты Описание

Список матч

K3265

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)

Toshiba 

2SK3265

RG = 25 Ω

VDD = 90 V, L = 7.5 mH

EAS

=

1

2

⋅

L

⋅

2

I

⋅

⎜⎜⎝⎛

BVDSS

BVDSS − VDD

⎟⎟⎠⎞

5

2009-09-29

Share Link: