U3501BM Просмотр технического описания (PDF) - Temic Semiconductors
Номер в каталоге
Компоненты Описание
Список матч
U3501BM Datasheet PDF : 20 Pages
| |||
U3501BM
ÁÁÁÁCÁÁÁÁBoSmÁÁÁÁC1pRÁaÁÁÁnEÁdÁÁÁPeR0ÁrÁÁEÁE/ÁCÁÁÁGoÁ2ÁÁÁm0TXpÁÁÁÁr0eÁÁÁÁGss2oÁ1ÁÁÁTrXÁÁÁÁ1 ÁGÁÁÁ20TÁÁÁÁXÁ2ÁÁÁGÁÁÁÁ21TÁÁÁÁX3ÁÁÁÁE1ÁTÁÁÁXÁÁÁÁGÁ01ÁÁÁTXÁÁÁÁ0ÁÁÁÁG10ÁÁÁÁTXÁÁÁÁ1 ÁGÁÁÁ11TÁÁÁÁX2ÁÁÁÁGÁÁÁÁ10TÁÁÁÁX3ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Parameters
TX input impedance COIN
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Gain reference level G0TX
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Change of gain when
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ compresser is bypassed
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ (relative to G0TX)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Gain tracking
(relative to G0TX)
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Attack time
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Release time
Test conditions
BCOMP = 1
VCOIN = –10 dBVrms
VCOIN = –10 dBVrms
BCOMP = 1
VCOIN = –30 dBVrms
VCOIN = –50 dBVrms
VCOIN = –60 dBVrms
VCOIN = –70 dBVrms
³ VCOIN = step
–30 dBVrms –18 dBVrms
measure time after step when
output voltage has 1.5 times the
final value
³ VCOIN = step
–18 dBVrms –30 dBVrms
measure time after step when
output voltage has 0.75 times the
final value
Min. Typ. Max. Unit Fig.
9
14
22
kW
1
5.5
10
dB
0,5
0.5
dB
–11
–9
–21
–30
–19
–22
–28
3.5
8
ms
14.4
ms
470 nF
100 nF
VCOIN
2 CTC
26 D
25 C
TXO 1
3 COIN
Figure 8.
Setup
100 kW
96 11785
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A1, 29-Jul-96
Preliminary Information
11 (20)
Share Link: 